2月26-28日，信息工程学院（微电子与固体电子学）4位学生的6篇论文在硅谷（圣何塞）举行的国际最高水平集成电路制程（光刻）技术会议SPIE Advanced Lithography上被接受为口头报告（oral presentation）。第一作者：康崴铃-2篇，程琦-1篇，肖玮-1篇，张盼-1篇，导师-1篇。北大自从去年同一小组取得突破（2篇口头报告）后，今年在该大会再下6城，提出了如何突破10纳米以下的集成电路光刻及工艺制程技术，在国际半导体产业界引起强烈反响。该大会的口头报告过去基本上被全球最先进的半导体研发中心和顶级大学的研究团队所垄断，如Intel、IBM、Samsung、TSMC、ASML、Nikon、Cadence、Synopsys、MIT、UC Berkeley、Stanford、UIUC、UT Austin等。

 
    深纳米尺度的光刻制程技术是超大规模集成电路的核心所在，也是推动半导体界名闻遐迩的摩尔定律延续四十几年的主要驱动力。我国最先进的芯片技术和国际水平仍相差很远，中芯国际现在的量产技术处在40-45纳米的节点，而Intel已计划在今年底开始14纳米芯片的量产，差距约为3代。4位学生的导师陈毅坚副教授代表学生进行了口头报告。另外，3月中，该小组还获邀在上海举行的中国最大的半导体技术大会CSTIC（China Semiconductor Technology International Conference）进行光刻技术的特邀报告（invited presentation）。（值得一提的是：国际集成电路制程技术的最新进展一般是发表在SPIE Advanced Lithography会议上，而非SCI期刊。上述信息有助于大家了解产业技术和纯学术研究发表方式的区别）。